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LT-1 LT-1B高頻光電導少子壽命測試儀LT-1C LT-100C數字硅晶體少子壽命測試儀
LT-1 LT-1B高頻光電導少子壽命測試儀LT-1C LT-100C數字硅晶體少子壽命測試儀
產品名稱: LT-1 LT-1B高頻光電導少子壽命測試儀LT-1C LT-100C數字硅晶體少子壽命測試儀
產品型號: LT-1 LT-1B高頻光電導少子壽命測試儀LT-1C LT-100C數字硅晶體少子壽命測試儀
產品產地:
產品特點: 上海華巖儀器設備有限公司供應LT-1高頻光電導壽命測試儀/高頻光電導少數載流子壽命測試儀、LT-100C數字式硅晶體少子壽命測試儀
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7606 LT-1 LT-1B高頻光電導少子壽命測試儀LT-1C LT-100C數字硅晶體少子壽命測試儀 LT1高頻光電導少數載流子壽命測試儀 LT-100C數字式硅晶體少子壽命測試儀 0
LT-1 LT-1B高頻光電導少子壽命測試儀LT-1C LT-100C數字硅晶體少子壽命測試儀 詳細信息

上海華巖儀器設備有限公司供應LT-1高頻光電導壽命測試儀、高頻光電導少數載流子壽命測試儀            
    產品說明    半導體行業使用,測量范圍可從1-6000μs ρ≥1Ω.cm
   1、  用途
用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形無嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況,是單晶質量的重要檢測項目。
2、  設備組成
2.1、光脈沖發生裝置
重復頻率>25次/s      脈寬>60μs          光脈沖關斷時間<0.2-1μs
紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶)   脈沖電流:5A~20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、高頻源
頻率:30MHz       低輸出阻抗      輸出功率>1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應:2Hz~2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器:頻帶寬度不低于40MHz,Y軸增益及掃描速度均應連續可調。
3、測量范圍
LT-1可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥3Ω·㎝(歐姆·厘米),壽命值的測量范圍:5~6000μs

 

———————————————————————————————————————————

 

上海華巖儀器設備有限公司供應LT-100C數字式硅晶體少子壽命測試儀  
      該設備是按照國家標準GB/T1553“硅單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業已運用了三十多年,積累了豐富的使用經驗,經過數次全國十多個單位巡回測試的考驗,證明是一種成熟可靠的測試方法,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量;也可對硅片進行測量,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,制樣簡便。我公司為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量,特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導法研制出了數字式少子壽命測試儀。                                                       
      該設備是按照國家標準GB/T1553“硅單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業已運用了三十多年,積累了豐富的使用經驗,經過數次全國十多個單位巡回測試的考驗,證明是一種成熟可靠的測試方法,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量;也可對硅片進行測量,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,制樣簡便。 
  LT-100C數字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點:
1、  可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數載流子體壽命。表面無需拋光,直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。
2、  可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數載流子的相對壽命,表面無需拋光、鈍化。
3、 配備專用軟件的數字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時顯示動態光電導衰退波形,并可聯用打印機及計算機。
4、 配置兩種波長的紅外光源:
a、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準確測量晶體少數載流子體壽命。
b、短波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強較強,有利于測量低阻太陽能級硅晶體。
5、 測量范圍寬廣
測試儀可直接測量:
a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。
b、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測范圍      0.25μS—10ms   

1.1.    LT-100C高頻光電導少數載流子壽命測試儀是參照半導體設備和材料國際組織SEMI標準(MF28-0707、MF1535-0707)及國家標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法,適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,由于對樣塊體形無嚴格要求,因此廣泛應用于工廠的常規測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況,是單晶質量的重要檢測項目。
目前我國測量硅單晶少子壽命的常用方法為高頻光電導衰退法(hfPCD)及微波反射光電導衰退法(μPCD),兩種方法均無需在樣品上制備電極,因此國外都稱為無接觸法。
dcPCD(直流光電導衰退法)是測量塊狀和棒狀單晶壽命的經典方法;μPCD法是后來發展的測量拋光硅片壽命的方法。這兩種方法對單晶表面的要求截然相反,dcPCD法要求表面為研磨面(用粒徑為5—12μm氧化鋁粉研磨,表面復合速度接近無限大,≈107㎝/s),這是很容易做到的;μPCD法則要求表面為完美的拋光鈍化面,要準確測量壽命為10μs的P型硅片表面復合速度至少要小于103㎝/秒,并需鈍化穩定,這是很難做到的。
hfPCD光電導衰退法介于兩者之間,它和dcPCD法一樣可以測量表面為研磨狀態的塊狀單晶體壽命,也可以測量表面為研磨或拋光的硅片壽命。特別要強調的是:無論用何種方法測量“表面復合速度很大而壽命又較高的”硅片(切割片、研磨片),由于表面復合的客觀存在,表觀壽命測量值肯定比體壽命值偏低,這是無容置疑的,但是生產實際中往往直接測量切割片或未經完善拋光鈍化的硅片,測量值偏低于體壽命的現象極為普遍,因此我們認為此時測出的壽命值只是一個相對參考值,它不是一個真實體壽命值,而是一個在特定條件下(體壽命接近或小于表面復合壽命時)可以反映這片壽命高,還是那片壽命更高的相對值。供需雙方必須有一些約定,如約定清洗條件、切割條件和測量條件,只有供需雙方經過摸索并達成共識,才能使這樣的壽命測量值有生產驗收的作用,否則測量值會是一個絲毫不能反映體壽命的表面復合壽命。
因此實際生產中我們主張盡量用高頻光電導衰退法測量硅塊、棒或錠的壽命,這樣壽命測量既準確又可以減少測試工作量。
1.2.    LT-100C型壽命儀是LT-1(基本型)的升級換代產品,在低阻硅單晶測量時,采用了全新理念,使信噪比提高了數十倍至數百倍,將硅單晶壽命測量下限從ρ>3Ω•cm,延伸到ρ≥0.3Ω•㎝,除能測量高阻單晶外亦可滿足太陽電池級硅片(裸片)的測試要求,儀器既可測量硅塊亦可測量硅片(硅片可放在托架上測量)。
1.2.1.    本儀器為了能直接讀取壽命值編寫了特殊的軟件存入數字存儲示波器,這些軟件依照少子壽命測量的基本原理編寫,同時采用了國際標準(MF28及MF1535)中推薦的幾種讀數方法。
1.2.2.    由于數字示波器具有存儲功能,應用平均采樣方式,平均次數可選4、16、32、64、128、256次,隨平均次數的增加隨機噪聲被減小,波形更穩定、清晰。
1.2.3.    數字示波器使用晶振做高穩定時鐘,有很高的測時精度;采用多位A/D轉換器使電壓幅度測量精度大大提高,因此提高了壽命測量精度。
1.3.    擴大了晶體少子壽命可測范圍,除配置了波長為1.07μm的紅外發光管外,增加配備了波長為0.904~0.905μm光強更強的紅外激光器,減小了光源的余輝,使晶體(研磨面)可測電阻率低至0.3Ω•cm,壽命可測下限延至0.25μs。
1.4.    制樣簡單,參照MF28,晶體測試面用粒徑為5~12μm氧化鋁粉或其它磨料研磨或切割即可,無需拋光鈍化。
LT-100C型壽命儀配有兩種光源電極臺,一種波長為1.07μm,適合于測量硅單晶塊或棒的體壽命;另一種波長為0.904~0.905μm,適合于測量切割或研磨太陽能硅片的相對壽命,與微波反射法測量條件相近,因此測量值也較接近。 
2.    設備的組成及技術指標
本儀器的測量系統電路示意圖如圖1所示。

 
圖1  測量系統電路示意圖
儀器測量范圍:
少子壽命測量范圍:0.25μS~10ms;晶體樣品(研磨面)電阻率下限≥0.3Ω•cm,尚未發現電阻率測量上限。
型號:N型或P型單晶或鑄造多晶。
按國家標準對儀器設備的要求,本儀器設備配有:
2.1.    光脈沖發生裝置
重復頻率>15次/S      脈寬≥10μS          
紅外光源長波長:1.06~1.08μm       脈沖電流:5A~16A
紅外光源短波長:0.904~0.905μm     脈沖電流:5A~16A
2.2.    高頻源  
頻率:30MHZ       低輸出阻抗            輸出功率>1W
2.3.    放大器和檢波器
頻率響應:2HZ~2MHZ
放大倍數:30倍(約)
2.4.    配用示波器
配用裝有自動測量少子壽命(光電導衰退時間)軟件的專用數字示波器:模擬帶寬60MHz,最大實時采樣率1GSa/S,垂直靈敏度2mv-5v/div,掃描范圍:2.5ns—50s/div,平均次數:4~256,可自動測量波形參數,亦可用手動光標直讀壽命。
標準配置接口:USB Device,USBHost,RS232,支持U盤存儲和PictBridge打印(詳見示波器說明書)。
2.5.    儀器所配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶,亦可測量豎放單晶橫截面的壽命。配置增加了測量低阻樣片用的升降臺以及裝有特殊彈形電極的光源電極臺。
2.6.    測試范圍:電阻率ρ≥0.3Ω•㎝,壽命0.25~10000μs
 

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上海華巖儀器設備有限公司供應TL-1C、LT-1C高頻光電導少子壽命測試儀
     1、  用途
用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量,除需要有一個測量平面外,對樣塊體形無嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況,是單晶質量的重要檢測項目。
2、  設備組成
2.1、光脈沖發生裝置
重復頻率>25次/s      脈寬>60μs          光脈沖關斷時間<1μs
紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶)   脈沖電流:5A~20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、高頻源
頻率:30MHz       低輸出阻抗      輸出功率>1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應:2Hz~2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器:頻帶寬度不低于10MHz,Y軸增益及掃描速度均應連續可調。
3、測量范圍
可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥0.1Ω·㎝(歐姆·厘米)
壽命值的測量范圍:5~6000μs(微秒)
上海華巖儀器設備有限公司供應LT-1、LT-100C、TL-1C高頻光電導壽命測試儀

 


     典型用戶 
  清華大學 重慶大學 江蘇順大半導體有限公司   
北京大學 黑龍江大學 天津中環半導體股份有限公司 
上海交大 蘭州大學 金華美晶硅電子有限公司 
華東理工大學 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司 中國振華集團 
大連理工大學 無錫尚德太陽能電力有限公司 中電四十六所 
成都電子科大 寧波太陽能電源有限公司 大連化工物理所 

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